“铋基芯片”横空出世 1nm！

史上速度最快、效率最高的晶体管

绕过光刻机封锁

跳过传统光刻路径

北大 "铋基芯片" 横空出世

二维环栅晶体管：中国团队的颠覆性突破

北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队与电子学院邱晨光研究员团队合作，研制出世界首例低功耗高性能二维环栅晶体管及逻辑单元，通过硒氧化铋（Bi₂O₂Se）材料与自然氧化物栅介质（Bi₂SeO₅）的结合，实现了晶体管性能的“跨代升级”，成果在《自然-材料》发表。该晶体管的速度和能效同时超过了硅基物理极限，是世界上迄今速度最快、能耗最低的晶体管。该工作有望推动芯片领域新一轮技术革新，为我国先进制程集成电路制造技术发展赢得主动

技术核心：从 "硅基捷径" 到 "二维换道"

作为 3 nm 及以下制程的核心技术，GAAFET（环栅晶体管）并非新概念。北大的革命性在于用二维材料替代硅基—— 选用的硒氧化铋（Bi₂O₂Se）是近年研究热点，其原子级厚度（~1 nm）不仅解决了硅基 10 nm 以下载流子迁移率衰减问题，还兼具柔性与稳定性。在相同工作条件下，他们研制的铋基二维环栅晶体管性能已超越英特尔、台积电、三星、比利时微电子中心报道的最先进环栅晶体管

国产高纯铋突破“卡脖子”封锁

中钨高新（000657.SZ）：其6N级铋（纯度99.9999%）已通过台积电3nm工艺认证，月订单量突破30吨，单价攀升至320万元/吨，毛利率达65%。柿竹园矿区铋资源储量占全球35%，技术壁垒构筑定价权护城河

。

豫光金铅（600531.SH）：再生铋回收率提升至98%，成本较原生铋低40%，与宁德时代合作的铋基钠离子电池能量密度突破340Wh/kg，量产在即

资讯解析

行业:

半导体

标的:

中钨高新豫光金铅

标签:

铋基芯片二维材料环栅晶体管先进制程国产替代新材料芯片制造先进制程技术

摘要:

北京大学团队研发出世界首例低功耗高性能二维环栅晶体管,采用硒氧化铋材料,性能超越硅基极限,有望推动芯片技术革新。相关企业如中钨高新和豫光金铅在铋材料领域取得突破。

多方:

这一技术突破有望推动芯片领域的技术革新,为我国在先进制程集成电路制造技术方面赢得主动。相关企业在铋材料领域的进展也显示了国产替代的潜力。

空方:

尽管技术突破显著,但大规模商业化应用仍需时间验证,且国际竞争激烈,技术壁垒和市场接受度仍是挑战。