韭研

euv光刻鸡重大突破

中国芯片极紫外（EUV）光刻光源技术获得重大突破，使用固体光源突破被美国“卡脖子”的局面。

4月29日消息，据环球时报旗下账号“哇喔·环球新科技”、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称中国科学院上海光机所）林楠研究员带领团队，绕过二氧化碳激光，使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源，已经达到国际领先水平，对中国自主开展EUV光刻有重要意义。




资讯解析

行业:
半导体
标的:
中国科学院上海光机所
标签:
EUV光刻 固体激光器 半导体 国产化 科技 光刻技术 芯片国产化
摘要:
中国科学院上海光机所在极紫外（EUV）光刻光源技术上取得重大突破,使用固体激光器技术开发出LPP-EUV光源,达到国际领先水平,对中国自主开展EUV光刻有重要意义。
多方:
这一技术突破将显著提升中国在半导体制造领域的自主可控能力,减少对国外技术的依赖,推动国内半导体产业链的完善和发展。
空方:
尽管技术取得突破,但实际产业化应用仍需时间,且与国际领先水平相比,可能仍存在一定差距。此外,美国可能进一步加强对中国半导体技术的封锁。