韭研

宽禁带半导体材料新风口！！！



论坛背景

☕ 会议议题
金刚石、氮化镓、氧化镓晶体生长与加工
金刚石、氮化镓、氧化镓薄膜及其外延技术
金刚石、氮化镓、氧化镓功率器件、封装测试
金刚石、氮化镓、氧化镓相关装备
金刚石、氮化镓、氧化镓产业与政策

🍊半导体材料革新正推动电力电子与通信技术跨越式发展。金刚石、氮化镓与氧化镓作为宽禁带半导体的核心材料，凭借优异的性能加速产业变革——禁带宽度更大，具备高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等特性，为半导体器件性能提升、降低功耗、抗辐射等方面提供了新的可能，在电力电子、光电子、微波电子等领域大有可为。

🍎本论坛聚焦材料协同创新与跨领域应用，深入探讨技术瓶颈，全面剖析技术趋势，寻找氮化镓及第四代半导体发展的方案。推动金刚石、GaN与氧化镓从实验室竞争走向场景化互补，加速“双碳”目标与AI算力革命的落地。

资讯解析

行业:
半导体
标的:
标签:
半导体 宽禁带 金刚石 氮化镓 氧化镓 电力电子 通信技术 宽禁带半导体材料 半导体材料革新
摘要:
论坛聚焦金刚石、氮化镓、氧化镓等宽禁带半导体材料的晶体生长与加工、薄膜及其外延技术、功率器件、封装测试、相关装备及产业政策。这些材料因其优异的性能,如禁带宽度大、高击穿电场、高电子迁移率、高热导率等,正在推动电力电子与通信技术的跨越式发展。
多方:
宽禁带半导体材料的应用将推动电力电子和通信技术的革新,助力实现‘双碳’目标和AI算力革命。这些材料的高性能特性为半导体行业带来了新的增长点。
空方:
尽管宽禁带半导体材料具有诸多优势,但其高昂的生产成本和复杂的技术工艺可能限制其大规模商业化应用。此外,从实验室到实际场景的技术转化仍面临挑战。