中国攻克EUV光刻光源技术，打破西方长期垄断在半导体芯片制造领域，极紫外光刻（EUV）技术是当之无愧的核心与关键，其重要性如同基石之于高楼，引擎之于汽车。而EUV光刻技术的核心——激光等离子体极紫外（LPP-EUV）光源，一直以来都是国际竞争的焦点与技术高地。长期被国外技术封锁的中国，在这条荆棘之路上艰难探索，终于迎来了曙光。据环球时报旗下账号“哇喔·环球新科技”、观察者网等报道，中国科学院上海光学精密机械研究所（简称上海光机所）的林楠研究员带领团队，成功开发出基于固体激光器技术的LPP-EUV光源，达到国际领先水平。这一消息犹如一颗重磅炸弹，在全球科技领域激起千层浪，对中国自主开展EUV光刻有着不可估量的重要意义。当前，荷兰的阿斯麦（ASML）是全球唯一能制造并商用EUV光刻机的企业。自2019年以来，由于美国的出口管制，ASML被禁止向中国出售最先进的EUV光刻型号，中国的半导体产业发展遭遇了严重的“卡脖子”困境。EUV光刻机中，激光等离子体（LPP）EUV光源作为最核心的分系统，其能量转换效率（CE）是衡量技术水平的关键指标。一直以来，ASML采用的是二氧化碳激光驱动技术，该技术激发的Sn等离子体具有较高的CE（>5%） ，其光源由美国Cymer制造，在全球范围内处于垄断地位。面对国外技术封锁，林楠团队另辟蹊径，选择使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源。经过不懈努力，目前团队1um固体激光的CE最高可达到3.42%，这一成绩超过了荷兰纳米光刻高级研究中心（ARCNL）在2019年记录的3.2%和瑞士苏黎世联邦理工学院在2021年记录的1.8%，已经达到了商用光源5.5%转化效率的一半。林楠团队研究人员估计，光源实验平台的理论最大转换效率可能接近6%，他们正计划进一步深入研究，不断优化理论和实验结果。林楠团队此次突破意义非凡。从技术层面来看，固体脉冲激光器经过近十年的快速发展已实现千瓦级功率输出，并且未来有望达到万瓦级。与体积庞大、电光转换效率低（低于5%）、运行和电力成本高昂的二氧化碳激光器相比，固体脉冲激光器体积紧凑、电光转换效率高（~20%），展现出明显的优势，有望成为新一代LPP-EUV光刻光源的驱动光源，为后续技术的持续创新和升级奠定了坚实基础。从产业层面而言，这一突破有望打破西方在EUV光刻技术方面的长期垄断，为中国自主生产高端芯片开辟新途径。一旦实现国产EUV光刻技术的全面应用，将极大提升中国半导体产业的自主可控能力，推动国内芯片制造企业向更高制程迈进，不再受限于国外的技术和设备供应，降低生产成本，提高生产效率，进而增强中国在全球半导体市场的竞争力。中国科学院上海光机所林楠团队的这一成果，是中国科技工作者勇攀科技高峰的生动体现，也让我们看到中国半导体产业摆脱“卡脖子”困境的希望。尽管距离实现国产EUV光刻机的量产和全面应用还有很长的路要走，但这一关键技术的突破无疑是一个重要的里程碑，为中国半导体产业的未来发展注入了强大动力 ，激励着更多科研人员在科技创新的道路上砥砺前行，攻克更多关键核心技术，助力中国科技实现从跟跑到并跑，最终实现领跑的伟大跨越。