【上海光机所EUV光刻技术获重大突破中国芯片生产有望不再被美国“卡脖子”】4月29日消息,据环球时报、观察者网等报道,中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员带领团队,绕过二氧化碳激光,使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源,已经达到国际领先水平,对中国自主开展EUV光刻有重要意义。上述报道称,该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。 据悉,EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体(LPP)EUV光源,主要关注能量转换效率(CE)。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体CE大于5%,是ASML光刻机的驱动光源,但此前这类光源由美国Cymer制造,在世界范围内处于垄断地位。因此,林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源,但能量效率需要进一步提升。
【上海光机所EUV光刻技术获重大突破中国芯片生产有望不再被美国“卡脖子”】4月29日消息,据环球时报、观察者网等报道,中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员带领团队,绕过二氧化碳激光,使用固体激光器技术成功开发出LPP-EUV光源,已经达到国际领先水平,对中国自主开展EUV光刻有重要意义。上述报道称,该技术有望突破中国自主生产芯片的阻碍。
据悉,EUV光刻机中最核心的分系统是激光等离子体(LPP)EUV光源,主要关注能量转换效率(CE)。二氧化碳激光器激发的Sn等离子体CE大于5%,是ASML光刻机的驱动光源,但此前这类光源由美国Cymer制造,在世界范围内处于垄断地位。因此,林楠团队考虑使用固体脉冲激光器代替二氧化碳激光作为驱动光源,但能量效率需要进一步提升。