韭研

【中银电子】三星退出DDR4,国产DRAM接棒在即


事件:三星宣布2025年4月停产LPDDR4内存,全面转向HBM/DDR5高阶市场!全球DRAM格局加速重构,国产替代进程再提速。 

产能替代窗口开启:三星退出低端DDR4市场,国产存储有望凭借成本优势承接份额,国产DRAM厂商市占率有望跃升。 

技术突破剑指高端:国产存储规划25H2量产HBM3,打破海外垄断,国产HBM供应链迎来从0到1机遇。 

地缘政治催化自主可控:美国关税政策压制台系模组厂商,大陆晶圆级产品受益,叠加国产设备/材料验证加速,产业链安全属性凸显。 


建议关注: 1. 存储芯片厂商 【兆易创新】背靠国内DRAM龙头,产能分配有望倾斜。积极布局定制化高带宽低功耗存储。 【北京君正】车载存储芯片领军者,LPDDR4产品工艺切换成本优势凸显,或受益行业缺口。 【澜起科技】DDR5渗透率持续提升,全互联战略加速迈进。 【聚辰股份】与澜起合作DDR5 SPD,车规级加速放量 2. 设备/材料供应商 【北方华创】【中微公司】【拓荆科技】国产刻蚀/薄膜设备核心供应商,扩产核心受益标的。 【雅克科技】前驱体材料国内唯一量产企业,HBM材料突破在即。 【华海诚科】先进环氧塑封料认证导入中。 ☎更多信息欢迎联系中银电子团队苏凌瑶/茅珈恺/李圣宣。

资讯解析

行业:
半导体
标的:
兆易创新 北京君正 澜起科技 聚辰股份 北方华创 中微公司 拓荆科技 雅克科技 华海诚科
标签:
三星 LPDDR4 HBM DDR5 国产替代 存储芯片 DDR5技术升级 三星停产LPDDR4 国产存储替代 HBM3量产
摘要:
三星宣布2025年停产LPDDR4内存,转向HBM/DDR5市场,国产存储厂商有望承接低端产能并加速技术突破。地缘政治因素催化国产替代进程,建议关注存储芯片厂商及设备/材料供应商。
多方:
国产存储厂商有望凭借成本和技术优势承接三星退出的市场份额,HBM3量产将打破海外垄断,地缘政治因素加速国产替代进程。
空方:
国产存储厂商在高端技术如HBM3上的量产能力尚未完全验证,可能面临技术瓶颈;国际市场竞争激烈,国产厂商的市占率提升可能受到限制。